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Journal of Electrical Engineering
Volumen 65 (2014): Edición 5 (September 2014)
Acceso abierto
Electrical Properties of Recessed Algan/Gan Schottky Diodes Under off–State Stress
Martin Florovič
Martin Florovič
,
Jaroslav Kováč
Jaroslav Kováč
,
Peter Benko
Peter Benko
,
Aleš Chvála
Aleš Chvála
,
Jaroslava Škriniarová
Jaroslava Škriniarová
y
Peter Kordó
Peter Kordó
| 05 nov 2014
Journal of Electrical Engineering
Volumen 65 (2014): Edición 5 (September 2014)
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Publicado en línea:
05 nov 2014
Páginas:
313 - 316
Recibido:
15 jun 2014
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2014-0051
Palabras clave
AlGaN/GaN Schottky diode
,
2DEG
,
off-state stress
,
traps
,
recess
© Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Slovak University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.